【人民网】南昌大学硅衬底LED项目获2015国家科学技术发明一等奖

　　人民网南昌1月8日电 （记者任江华、秦海峰）2015年度国家科技奖日前出炉，由南昌大学江风益教授团队完成的“硅衬底高光效GaN基蓝色发光二极管”获得国家技术发明奖中唯一一等奖，这一发明在国际上率先实现了硅衬底LED产业化，开辟了国际LED照明技术第三条路线。

　　发光二极管（LED）是一种节能环保的冷光源。它发光效率高、寿命长、体积小、可靠性高、响应速度快和应用范围广。该项目发明的硅衬底蓝光LED电光转换效率高达60%，远大于其他电光源的转换效率，具有重大节能减排价值，替代传统光源节电40%-80%。

　　由于硅衬底蓝光LED属单面出光，光线容易管控，其出光方向性和均匀性优于多面出光的其他技术路线，在高档光源应用中也具有明显的性能优势和性价优势。

　　该项目成果创建了硅衬底LED芯片制造、器件封装和产品应用企业，推出了30多种产品，形成了硅衬底LED上中下游产业链，产品成功应用于路灯、手电、矿灯、筒灯、射灯、彩屏、家电数码等领域，在多个国家和地区应用。

　　“硅衬底高光效GaN基蓝色发光二极管”项目经过近10年的技术攻关和生产实践，具有完整（完全）的自主知识产权，冲破了国外的专利束缚，产品在市场上形成独特的优势，有力地提升了我国LED技术在国际上的地位，为我国LED产业可持续发展打下了坚实的基础。

　　在硅衬底上制备GaN基LED，业界一直孜孜以求。然而由于硅和GaN这两种材料巨大的晶格失配和热失配导致的外延膜龟裂、晶体质量差，以及衬底不透明导致的出光效率低等问题长期未能解决，致使业界普遍认为，在硅衬底上制备高光效GaN基LED是不可能的。

　　江风益和他的团队经过长期努力，经过3000多次实验，攻克了这一世界难题，发明了在材料生长和芯片制造过程中克服巨大张应力的方法、结构和工艺技术，在国际上率先研制成功高内量子效率硅衬底蓝光LED外延材料和高取光效率高可靠性单面出光蓝光LED芯片，并率先实现了产业化，获授权发明专利68项。

　　现有的三条LED照明技术路线，分别是蓝宝石、碳化硅和硅衬底GaN基LED技术路线。其中，前两条路线分别是以日本和美国为主发展起来的，主要贡献者分别获得日美两国最高科技奖，第一条路线的三位主要发明人还获得了2014年度诺贝尔物理学奖。第三条路线是由我国发展起来的，即风益教授团队完成的“硅衬底高光效GaN基蓝色发光二极管”项目发明成果。

　　得益于“硅衬底高光效GaN基蓝色发光二极管”项目的成功，江西省已描绘出LED产业发展“路线图”：到2020年，全省LED产业主营收入要超过1000亿元，把江西建设成为具有国际核心竞争力的LED全产业链研发、制造和应用基地，将南昌打造成全国的LED“光谷”。

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