镁光与索尼合力研发出大容量高速存储器

08.04.2014  14:54

近日,索尼和镁光公司宣布其研发小组开发出高速、大容量ReRAM(可变电阻式存储器),该类型存储器填补了DRAM与NAND之间的性能鸿沟,有望提高整体系统性能。

新产品的容量为16Gbit,超过了目前的DRAM,而且具备超过NAND闪存的高速性。数据传输速度在读取时为1GB/秒,写入时为200MB/秒,访问等待时间在读取时为2μs,写入时为10μs。采用1GB/秒的DDR接口以及与DRAM接近的8存储体储存器架构,通过并联运行实现了高速化。

据悉,电阻变化元件采用CuTe膜和绝缘膜的双层构造,通过铜离子的移动在元件内部形成导电桥来改变电阻值。储存器单元由一个选择晶体管和电阻变化元件构成。采用27nm工艺、3层铜布线技术制造,单元面积为4374nm2,芯片面积为168mm2 (黄敏聪整理)


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